Курсовая работа на тему: Общие сведения. Коэффициент усиления по току. Зависимость эффективности эмиттера от концентрации

Введение

В данной курсовой работе рассматривается коэффициент усиления по току мощных биполярных транзисторов, а также методы его увеличения.

Рассматривается общее представление о мощных БИП-транзисторах. Более подробно описывается конфигурация эмиттера, гетеропереходы эмиттер-база. Также рассматривается схема Дарлингтона, одна из схем составных транзисторов.

В заключении данной курсовой работы приводится общий вывод о применении мощных биполярных транзисторов.

Оглавление

- Введение

- Общие сведения

- Коэффициент усиления по току

- Зависимость эффективности эмиттера от концентрации примеси в нем

- Падение коэффициента усиления по току при больших плотностях тока

- Зависимость коэффициента усиления по току от температуры

- Методы увеличения коэффициента усиления по току

- Конфигурация эмиттера

- Эмиттеры с низкой концентрацией примеси нкэ-тран- зистор

- Транзистор со слаболегированным эмиттером ТСЭ- транзистор

- Транзистор с пониженной концентрацией фосфора в эмиттере ПКФ-транзистор

- Транзистор с эмиттером, легированным мышьяком ЭЛМ-транзистор

- Транзистор с гетеропереходом в эмиттере

- Монолитный мощный транзистор Дарлингтона ЗАКЛЮЧЕНИЕ

- Список использованных источников

- Приложение а

Заключение

Все большую популярность приобретают биполярные мощные транзисторы, которые могут использоваться в различных устройствах и схемах. Применение таких транзисторов возможно как в качестве усилителей низкой и высокой частоты, так и в генераторах и мощных переключающих устройствах.

Одной из областей, где мощные транзисторы находят широкое применение, является звуковая частота. Они могут быть использованы в усилителях, чтобы усилить сигнал и обеспечить его высокое качество. Также такие транзисторы применяются в зажигании автомобилей, где они обеспечивают эффективное и надежное зажигание.

Еще одной областью, где используются биполярные мощные транзисторы, является горизонтальная развертка телевизоров. Благодаря своей мощности, они способны генерировать и поддерживать стабильное горизонтальное сканирование экрана.

Кроме того, мощные транзисторы широко используются в мощных источниках питания. Они обеспечивают стабильную подачу энергии и способны выдерживать большие нагрузки.

В целом, биполярные мощные транзисторы нашли свое применение в самых разнообразных устройствах и схемах, где их высокая мощность и надежность являются необходимыми. Мощные транзисторы выделяются своим высоким напряжением, током и способностью обрабатывать большую мощность. Важной характеристикой таких транзисторов является их способность справляться с высокими тепловыми нагрузками без изменения своей структуры. Во время работы, мощные транзисторы должны быть в состоянии эффективно охлаждаться, чтобы избежать перегрева и повреждения. Это обеспечивает долгий срок службы и стабильную работу таких устройств. Таким образом, мощность и теплоотвод являются ключевыми факторами при выборе и использовании мощных транзисторов. Структура мощных транзисторов существенно отличается от структуры базовых, малосигнальных транзисторов с типом n-p-n или p-n-p. В отличие от последних, мощные транзисторы предназначены для прохождения значительных коллекторных токов и способны выдерживать высокие напряжения на коллекторе.

Список литературы

транзистор эмиттер монолитный

[1] Блихер, А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / А.Блихер. - Л. : Энергоатомиздат, 1986.

[2] Колосницын, Б. С. Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы / Б. С. Колосницын. - Минск : БГУИР, 2008.

[3] Ржевкин, К. С. Физические принципы действия полупроводниковых приборов / К. С. Ржевкин. - М. : МГУ, 1986.