Курсовая работа на тему: После перераспределения примеси, копленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре

Введение

Новгородский Государственный университет

им. Ярослава Мудрого

Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники

"РАСЧЕТ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСЕЙ

В КРЕМНИИ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИОНОЙ ОЧИСТКЕ

И ДИФФУЗИОННОМ ЛЕГИРОВАННИИ"

Пояснительная записка

к курсовой работе

по дисциплине

"Физико-химические основы технологии микроэлектроники"

Выполнил

Студент группы 7033у

Н.Е.Родин

Проверил

Преподаватель кафедры ФТТМ

Б.М.Шишлянников

1998

Техническое задание

на курсовую работу по дисциплине

"Физико-химические основы технологии микроэлектроники"

Студенту гр. 7033 Родину Н.Е.

1. Рассчитать распределение примесей вдоль слитка полупроводникового материала при очистке зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

материал кремний

примеси - Gа,Р и Sb

исходное содержание примесей (каждой) 0,02% (массовых)

Для трех скоростей перемещения зоны Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин.

2. Проанализировать бинарную диаграмму состояния Si -Gа и представить графически область существования твердых растворов примеси, найти предельную твердую растворимость примеси и температуру предельной растворимости.

Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Gа) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии:

при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и при температуре, соответствующей максимальной растворимости примеси в полупроводнике; время диффузии - 30 мин.

при температуре 950 оС; время диффузии - 30 мин.

после перераспределения примеси, накопленной в приповерхностном слое полупроводника при температуре 950 оС и времени диффузии - 30 мин . Условия перераспределения - полностью отражающая граница, температура 1150 оС, время 2 часа.

Срок сдачи законченной работы руководителю - июнь 1998 г.

Преподаватель........................................Б.М. Шишлянников

Студент .....................................................Н.Е. Родин

Реферат.

В курсовом проекте производится расчет распределения примеси вдоль слитка кремния зонной плавкой. Расчет производится для трех примесей (Gа,Р и Sb) для трех скоростей (Vкр =1,5 ; 5 и 15 мм/мин). Кроме того расчет распределения Gа в кремнии после диффузионного отжига при различных условиях диффузии.

Курсовая работа содержит графики распределения примеси как при зонной плавке, так и при диффузии.

Оглавление